Samsung 8 ГБ DDR4 2666 МГц SODIMM CL19 M471A1K43CB1-CTD

Артикул: 9104
2 910

Объем памяти 8 ГБ Тип DDR4 SODIMM 260-pin Тактовая частота 2666 МГц Тайминги 19-19-19-32 Напряжение питания 1.2 В Пропускная способность PC21300

9104
Нет в наличии

Объем памяти 8 ГБ
Тип DDR4 SODIMM 260-pin
Тактовая частота 2666 МГц
Тайминги 19-19-19-32
Напряжение питания 1.2 В
Пропускная способность PC21300
Тип товара Оперативная память
Производитель Samsung
Модель M471A1K43CB1-CTD
Тип поставки OEM
Тип DDR4
Тип памяти DDR4
Форм-фактор SODIMM
Количество модулей в комплекте 1
Объем 1 модуль 8 Гб
Объем одного модуля 8
Объем памяти 8
Тактовая частота 2666
Пропускная способность 21300
tRCD 19
tRP 19
tRAS 32
Количество рангов 1
CL 19
Количество чипов каждого модуля 8
Напряжение питания 1.2
Количество контактов 260
Упаковка чипов двусторонняя
Ширина 30 мм
Высота 5 мм
Длина 70 мм
Вес товара в г. 50
Вес в кг. 0.05
Гарантия 12 месяцев
Страна-производитель Китай
ВНИМАНИЕ !!! Пожалуйста, сверяйте информацию о данном товаре с информацией на официальном сайте производителя и уточняйте спецификацию, наличие на складе и цену товара у менеджеров нашей компании. Внешний вид изделия, его комплектация и характеристики могут изменяться

Samsung 8 ГБ DDR4 2666 МГц SODIMM CL19 M471A1K43CB1-CTD отзывы

Оставьте отзыв об этом товаре первым!