Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR4 3200 МГц SODIMM CL17 M471A5244CB0-CWED

Артикул: 9914
1 034

количество модулей в комплекте 1 шт. объем одного модуля 4 ГБ тип DDR4 SODIMM 260-pin тактовая частота 3200 МГц тайминги 17 напряжение питания 1.2 В пропускная способность PC25600 особенности Unregistered

9914
Нет в наличии
количество модулей в комплекте 1 шт.
объем одного модуля 4 ГБ
тип DDR4 SODIMM 260-pin
тактовая частота 3200 МГц
тайминги 17
напряжение питания 1.2 В
пропускная способность PC25600
особенности Unregistered

Тип товара Оперативная память
Производитель Samsung
Модель M471A5244CB0-CWED
Тип поставки OEM
Тип DDR4
Тип памяти DDR4
Форм-фактор SODIMM
Количество модулей в комплекте 1
Объем 4
Объем одного модуля 4
Объем памяти 4
Тактовая частота 3200
Пропускная способность 25600
tRCD 17
tRP 17
tRAS 34
Количество рангов 1
CL 17
CAS Latency (CL) 17
RAS to CAS Delay (tRCD) 17
Row Precharge Delay (tRP) 17
Activate to Precharge Delay (tRAS) 34
Количество чипов каждого модуля 8
Напряжение питания 1.2
Количество ранков 1
Количество контактов 260
Упаковка чипов двусторонняя
Ширина 30 мм
Высота 5 мм
Длина 70 мм
Вес товара в г. 50
Вес в кг. 0,05
Гарантия 12 месяцев
Страна-производитель Китай
ВНИМАНИЕ !!! Пожалуйста, сверяйте информацию о данном товаре с информацией на официальном сайте производителя и уточняйте спецификацию, наличие на складе и цену товара у менеджеров нашей компании. Внешний вид изделия, его комплектация и характеристики могут изменяться

Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR4 3200 МГц SODIMM CL17 M471A5244CB0-CWED отзывы

Оставьте отзыв об этом товаре первым!