| Состояние товара | preowned |
| Внешний вид | excellent |
| Причина уценки | Отсутствует заводская упаковка, модуль полностью исправен |
| Тип товара | Модуль памяти |
| Производитель | Micron |
| Модель | MTA4ATF51264HZ-2G6E1 |
| Тип поставки | OEM |
| Тип | DDR4 |
| Тип памяти | DDR4 |
| Форм-фактор | SODIMM |
| Количество модулей в комплекте | 1 |
| Объем | 4 |
| Объем одного модуля | 4 |
| Объем памяти | 4 |
| Тактовая частота | 2666 |
| Пропускная способность | 21300 |
| tRCD | 19 |
| tRP | 19 |
| tRAS | 40 |
| CL | 19 |
| CAS Latency (CL) | 19 |
| RAS to CAS Delay (tRCD) | 19 |
| Row Precharge Delay (tRP) | 19 |
| Activate to Precharge Delay (tRAS) | 40 |
| Напряжение питания | 1.2 |
| Количество контактов | 260 |
| Ширина | 30 мм |
| Высота | 5 мм |
| Длина | 70 мм |
| Вес товара в г. | 55 |
| Вес в кг. | 0,05 |
| Гарантия | 3 месяца |
| Страна-производитель | Китай |
| ВНИМАНИЕ !!! | Пожалуйста, сверяйте информацию о данном товаре с информацией на официальном сайте производителя и уточняйте спецификацию, наличие на складе и цену товара у менеджеров нашей компании. Внешний вид изделия, его комплектация и характеристики могут изменяться |
Оперативная память Micron MTA4ATF51264HZ-2G6E1, DDR4,SODIMM,2666 МГц, 4Гб отзывы
Оставьте отзыв об этом товаре первым!
