Samsung 4GB 2666MHz CL19 (M471A5244CB0-CTDD0)

Артикул: 8638
1 990

объем памяти: 4 ГБ тип: DDR4 SODIMM 260-pin тактовая частота: 2666 МГц тайминги: 19-19-19-32 напряжение питания: 1.2 В пропускная способность: PC21300

8638
Нет в наличии
  • объем памяти: 4 ГБ
  • тип: DDR4 SODIMM 260-pin
  • тактовая частота: 2666 МГц
  • тайминги: 19-19-19-32
  • напряжение питания: 1.2 В
  • пропускная способность: PC21300

Тип товара Оперативная память
Производитель Samsung
Модель M471A5244CB0-CTDD0
Тип поставки OEM
Тип памяти DDR4
Форм-фактор SODIMM 260-контактный
Количество модулей в комплекте 1
Объем 1 модуль 4 Гб
Объем одного модуля 4
Объем памяти 4
Тактовая частота 2666
Пропускная способность 21300
Поддержка ECC нет
Поддержка XMP нет
Буферизованная (Registered) нет
Низкопрофильная (Low Profile) нет
CAS Latency (CL) 19
RAS to CAS Delay (tRCD) 19
Row Precharge Delay (tRP) 19
Activate to Precharge Delay (tRAS) 32
Количество чипов каждого модуля 4, односторонняя упаковка
Напряжение питания 1.2
Количество ранков 1
Срок службы 12 мес.
Дополнительная информация не опасен
Ширина 30 мм
Высота 5 мм
Длина 70 мм
Вес товара в г. 50
Вес в кг. 0,05
Гарантия 12 месяцев
Страна-производитель Китай
ВНИМАНИЕ !!! Пожалуйста, сверяйте информацию о данном товаре с информацией на официальном сайте производителя. Внешний вид изделия, его комплектация и характеристики могут изменяться производителем без предварительного уведомления. Стоимость товара указанная на сайте

Samsung 4GB 2666MHz CL19 (M471A5244CB0-CTDD0) отзывы

Оставьте отзыв об этом товаре первым!