Samsung 4GB 2133MHz CL15 (M471A5143DB0-CPB)

Артикул: 8318
3 980

объем памяти: 4 ГБ тип: DDR4 SODIMM 260-pin тактовая частота: 2133 МГц тайминги: 15-15-15-33 напряжение питания: 1.2 В пропускная способность: PC17000

8318
Нет в наличии
  • объем памяти: 4 ГБ
  • тип: DDR4 SODIMM 260-pin
  • тактовая частота: 2133 МГц
  • тайминги: 15-15-15-33
  • напряжение питания: 1.2 В
  • пропускная способность: PC17000

Тип товара Модуль памяти
Производитель Samsung
Модель 4GB 2133MHz CL15 (M471A5143DB0-CPB)
Тип поставки OEM
Тип памяти DDR4
Форм-фактор SODIMM 260-контактный
Объем 1 модуль 4 Гб
Тактовая частота 2133
Буферизованная (Registered) нет
Низкопрофильная (Low Profile) нет
RAS to CAS Delay (tRCD) 4
Row Precharge Delay (tRP) 4
CAS Latency (CL) 15
Activate to Precharge Delay (tRAS) 33
Количество чипов каждого модуля 8, двусторонняя упаковка
Напряжение питания 1.2
Ширина 30 мм
Высота 5 мм
Длина 130 мм
Вес в кг. 0,05
Вес товара в г. 50
Гарантия 12 месяцев
Страна-производитель Китай
ВНИМАНИЕ !!! Пожалуйста, сверяйте информацию о данном товаре с информацией на официальном сайте производителя. Внешний вид изделия, его комплектация и характеристики могут изменяться производителем без предварительного уведомления. Стоимость товара указанная на сайте

Samsung 4GB 2133MHz CL15 (M471A5143DB0-CPB) отзывы

Оставьте отзыв об этом товаре первым!