- объем памяти: 4 ГБ
- тип: DDR4 SODIMM 260-pin
- тактовая частота: 2133 МГц
- тайминги: 15-15-15-33
- напряжение питания: 1.2 В
- пропускная способность: PC17000
| Тип товара | Модуль памяти |
| Производитель | Samsung |
| Модель | 4GB 2133MHz CL15 (M471A5143DB0-CPB) |
| Тип поставки | OEM |
| Тип памяти | DDR4 |
| Форм-фактор | SODIMM 260-контактный |
| Объем | 1 модуль 4 Гб |
| Тактовая частота | 2133 |
| Буферизованная (Registered) | нет |
| Низкопрофильная (Low Profile) | нет |
| CAS Latency (CL) | 15 |
| RAS to CAS Delay (tRCD) | 4 |
| Row Precharge Delay (tRP) | 4 |
| Activate to Precharge Delay (tRAS) | 33 |
| Количество чипов каждого модуля | 8, двусторонняя упаковка |
| Напряжение питания | 1.2 |
| Дополнительная информация | не опасен |
| Ширина | 30 мм |
| Высота | 5 мм |
| Длина | 130 мм |
| Вес товара в г. | 50 |
| Вес в кг. | 0,05 |
| Гарантия | 12 месяцев |
| Страна-производитель | Китай |
| ВНИМАНИЕ !!! | Пожалуйста, сверяйте информацию о данном товаре с информацией на официальном сайте производителя. Внешний вид изделия, его комплектация и характеристики могут изменяться производителем без предварительного уведомления. Стоимость товара указанная на сайте |
Samsung 4GB 2133MHz CL15 (M471A5143DB0-CPB) отзывы
Оставьте отзыв об этом товаре первым!
