- объем памяти: 4 ГБ
- тип: DDR3 SODIMM 204-pin
- тактовая частота: 1333 МГц
- тайминги: 9-9-9-36
- напряжение питания: 1.5 В
- пропускная способность: PC10600
| Состояние товара | preowned |
| Внешний вид | excellent |
| Причина уценки | Отсутствует заводская упаковка, модуль полностью исправен |
| Тип товара | Модуль памяти |
| Производитель | Samsung |
| Модель | 4GB 1333MHz CL9 (M471B5273CH0-CH9) |
| Тип поставки | OEM |
| Тип памяти | DDR3 |
| Форм-фактор | SODIMM 204-контактный |
| Количество модулей в комплекте | 1 |
| Объем | 1 модуль 4 Гб |
| Объем одного модуля | 4 |
| Объем памяти | 4 |
| Тактовая частота | 1333 |
| Пропускная способность | 10600 |
| Поддержка ECC | нет |
| Буферизованная (Registered) | нет |
| Низкопрофильная (Low Profile) | нет |
| CL | 9 |
| CAS Latency (CL) | 9 |
| RAS to CAS Delay (tRCD) | 9 |
| Row Precharge Delay (tRP) | 9 |
| Activate to Precharge Delay (tRAS) | 36 |
| Количество чипов каждого модуля | 18, двусторонняя упаковка |
| Напряжение питания | 1.5 |
| Количество ранков | 2 |
| Дополнительная информация | не опасен |
| Ширина | 30 мм |
| Высота | 5 мм |
| Длина | 130 мм |
| Вес товара в г. | 50 |
| Вес в кг. | 0,05 |
| Гарантия | 12 месяцев |
| Страна-производитель | Китай |
| ВНИМАНИЕ !!! | Пожалуйста, сверяйте информацию о данном товаре с информацией на официальном сайте производителя. Внешний вид изделия, его комплектация и характеристики могут изменяться производителем без предварительного уведомления. Стоимость товара указанная на сайте |
Samsung 4GB 1333MHz CL9 (M471B5273CH0-CH9) отзывы
Оставьте отзыв об этом товаре первым!
