Samsung 4GB 1333MHz CL9 (M471B5273CH0-CH9)

Артикул: 8264
1 990

объем памяти: 4 ГБ тип: DDR3 SODIMM 204-pin тактовая частота: 1333 МГц тайминги: 9-9-9-36 напряжение питания: 1.5 В пропускная способность: PC10600

8264
Нет в наличии
  • объем памяти: 4 ГБ
  • тип: DDR3 SODIMM 204-pin
  • тактовая частота: 1333 МГц
  • тайминги: 9-9-9-36
  • напряжение питания: 1.5 В
  • пропускная способность: PC10600

Тип товара Модуль памяти
Производитель Samsung
Модель 4GB 1333MHz CL9 (M471B5273CH0-CH9)
Тип памяти DDR3
Форм-фактор SODIMM 204-контактный
Объем 1 модуль 4 Гб
Тактовая частота 1333 МГц
Пропускная способность 10600 Мб/с
Поддержка ECC нет
Буферизованная (Registered) нет
Низкопрофильная (Low Profile) нет
RAS to CAS Delay (tRCD) 9
Row Precharge Delay (tRP) 9
CAS Latency (CL) 9
Activate to Precharge Delay (tRAS) 36
Количество чипов каждого модуля 16, двусторонняя упаковка
Напряжение питания 1.5 В
Количество ранков 2
Вес 0.05 кг
Гарантия 12 месяцев
Страна-производитель Китай
ВНИМАНИЕ !!! Пожалуйста, сверяйте информацию о данном товаре с информацией на официальном сайте производителя. Внешний вид изделия, его комплектация и характеристики могут изменяться производителем без предварительного уведомления. Стоимость товара указанная на сайте

Samsung 4GB 1333MHz CL9 (M471B5273CH0-CH9) отзывы

Оставьте отзыв об этом товаре первым!