Samsung 4 ГБ DDR4 2133 МГц CL15 (M378A5143EB1-CPB)

Артикул: 8803
3 171

Объем памяти 4 ГБ Тип DDR4 DIMM 288-pin Тактовая частота 2133 МГц Тайминги 15-15-15-42 Напряжение питания 1.2 В Пропускная способность PC17000

8803
Нет в наличии
Объем памяти 4 ГБ
Тип DDR4 DIMM 288-pin
Тактовая частота 2133 МГц
Тайминги 15-15-15-42
Напряжение питания 1.2 В
Пропускная способность PC17000

Тип товара Оперативная память
Производитель Samsung
Модель M378A5143EB1-CPB
Тип DDR4
Форм-фактор DIMM 288-контактный
Количество модулей в комплекте 1
Объем одного модуля 4
Объем памяти 4
Тактовая частота 2133
Пропускная способность 17000
CL 15
RAS to CAS Delay (tRCD) 15
Row Precharge Delay (tRP) 15
Activate to Precharge Delay (tRAS) 42
Количество чипов каждого модуля 8
Напряжение питания 1.2
Количество ранков 1
Количество контактов 288
Упаковка чипов односторонняя
Дополнительная информация не опасен
Ширина 30 мм
Высота 5 мм
Длина 130 мм
Вес товара в г. 50
Вес в кг. 0,05
Гарантия 12 месяцев
Страна-производитель Китай
ВНИМАНИЕ !!! Пожалуйста, сверяйте информацию о данном товаре с информацией на официальном сайте производителя. Внешний вид изделия, его комплектация и характеристики могут изменяться производителем без предварительного уведомления. Стоимость товара указанная на сайте

Samsung 4 ГБ DDR4 2133 МГц CL15 (M378A5143EB1-CPB) отзывы

Оставьте отзыв об этом товаре первым!