Samsung 4 ГБ DDR4 2133 МГц CL15 (M378A5143EB1-CPB)

Артикул: 8803
3 171

Объем памяти 4 ГБ Тип DDR4 DIMM 288-pin Тактовая частота 2133 МГц Тайминги 15-15-15-42 Напряжение питания 1.2 В Пропускная способность PC17000

8803
м.Царицыно: Осталась 1 штука
Объем памяти 4 ГБ
Тип DDR4 DIMM 288-pin
Тактовая частота 2133 МГц
Тайминги 15-15-15-42
Напряжение питания 1.2 В
Пропускная способность PC17000

Тип товара Оперативная память
Производитель Samsung
Модель M378A5143EB1-CPB
Тип DDR4
Форм-фактор DIMM 288-контактный
Количество модулей в комплекте 1
Объем одного модуля 4
Объем памяти 4
Тактовая частота 2133
Пропускная способность 17000
Количество контактов 288
Упаковка чипов односторонняя
RAS to CAS Delay (tRCD) 15
Row Precharge Delay (tRP) 15
CL 15
Activate to Precharge Delay (tRAS) 42
Количество чипов каждого модуля 8
Напряжение питания 1.2
Количество ранков 1
Ширина 30 мм
Высота 5 мм
Длина 130 мм
Вес в кг. 0,05
Вес товара в г. 50
Гарантия 12 месяцев
Страна-производитель Китай
ВНИМАНИЕ !!! Пожалуйста, сверяйте информацию о данном товаре с информацией на официальном сайте производителя. Внешний вид изделия, его комплектация и характеристики могут изменяться производителем без предварительного уведомления. Стоимость товара указанная на сайте

Samsung 4 ГБ DDR4 2133 МГц CL15 (M378A5143EB1-CPB) отзывы

Оставьте отзыв об этом товаре первым!