- объем памяти: 2 ГБ
- тип: DDR2 SODIMM 200-pin
- тактовая частота: 800 МГц
- тайминги: 6-6-6
- напряжение питания: 1.8 В
- пропускная способность: PC6400
| Тип товара | Оперативная память |
| Производитель | Samsung |
| Модель | M470T5663RZ3-CF7 |
| Тип поставки | OEM |
| Тип | DDR2 |
| Тип памяти | DDR2 |
| Форм-фактор | SODIMM 200-контактный |
| Количество модулей в комплекте | 1 |
| Объем одного модуля | 2 |
| Объем памяти | 2 |
| Тактовая частота | 800 |
| Пропускная способность | 6400 |
| Поддержка ECC | нет |
| Поддержка XMP | нет |
| Буферизованная (Registered) | нет |
| Низкопрофильная (Low Profile) | нет |
| CAS Latency (CL) | 6 |
| RAS to CAS Delay (tRCD) | 6 |
| Row Precharge Delay (tRP) | 6 |
| Количество чипов каждого модуля | 16, двусторонняя упаковка |
| Напряжение питания | 1.8 |
| Количество ранков | 2 |
| Срок службы | 3 г. |
| Дополнительная информация | не опасен |
| Ширина | 30 мм |
| Высота | 5 мм |
| Длина | 130 мм |
| Вес товара в г. | 50 |
| Вес в кг. | 0,05 |
| Гарантия | 12 месяцев |
| Страна-производитель | Китай |
| ВНИМАНИЕ !!! | Пожалуйста, сверяйте информацию о данном товаре с информацией на официальном сайте производителя. Внешний вид изделия, его комплектация и характеристики могут изменяться производителем без предварительного уведомления. Стоимость товара указанная на сайте |
Samsung 2GB 800MHz CL6 (M470T5663RZ3-CF7) отзывы
Оставьте отзыв об этом товаре первым!
