Samsung 2GB 800MHz CL6 (M470T5663RZ3-CF7)

Артикул: 8584
1 070

объем памяти: 2 ГБ тип: DDR2 SODIMM 200-pin тактовая частота: 800 МГц тайминги: 6-6-6 напряжение питания: 1.8 В пропускная способность: PC6400

8584
Нет в наличии
  • объем памяти: 2 ГБ
  • тип: DDR2 SODIMM 200-pin
  • тактовая частота: 800 МГц
  • тайминги: 6-6-6
  • напряжение питания: 1.8 В
  • пропускная способность: PC6400

Тип товара Оперативная память
Производитель Samsung
Модель M470T5663RZ3-CF7
Тип поставки OEM
Тип DDR2
Тип памяти DDR2
Форм-фактор SODIMM 200-контактный
Количество модулей в комплекте 1
Объем одного модуля 2 Гб
Объем памяти 2 Гб
Тактовая частота 800
Пропускная способность 6400
Поддержка ECC нет
Поддержка XMP нет
Буферизованная (Registered) нет
Низкопрофильная (Low Profile) нет
RAS to CAS Delay (tRCD) 6
Row Precharge Delay (tRP) 6
CAS Latency (CL) 6
Количество чипов каждого модуля 16, двусторонняя упаковка
Напряжение питания 1.8 В
Количество ранков 2
Срок службы 3 г.
Дополнительная информация CL-tRCD-tRP 5-5-5 или 6-6-6
Ширина 30 мм
Высота 5 мм
Длина 130 мм
Вес 0.050 кг
Вес товара 55
Гарантия 12 месяцев
Страна-производитель Китай
ВНИМАНИЕ !!! Пожалуйста, сверяйте информацию о данном товаре с информацией на официальном сайте производителя. Внешний вид изделия, его комплектация и характеристики могут изменяться производителем без предварительного уведомления. Стоимость товара указанная на сайте

Samsung 2GB 800MHz CL6 (M470T5663RZ3-CF7) отзывы

Оставьте отзыв об этом товаре первым!