Samsung 2GB 800MHz CL6 (M470T5663EH3-CF7)

Артикул: 8648
1 150

объем памяти: 2 ГБ тип: DDR2 SODIMM 200-pin тактовая частота: 800 МГц тайминги: 6 напряжение питания: 1.8 В пропускная способность: PC6400

8648
Нет в наличии
  • объем памяти: 2 ГБ
  • тип: DDR2 SODIMM 200-pin
  • тактовая частота: 800 МГц
  • тайминги: 6
  • напряжение питания: 1.8 В
  • пропускная способность: PC6400

Тип товара Оперативная память
Производитель Samsung
Модель M470T5663EH3-CF7
Тип поставки OEM
Тип памяти DDR2
Форм-фактор SODIMM 200-контактный
Объем 1 модуль 2 Гб
Тактовая частота 800
Пропускная способность 6400
Поддержка ECC нет
Буферизованная (Registered) нет
Низкопрофильная (Low Profile) нет
CAS Latency (CL) 6
Напряжение питания 1.8
Количество ранков 2
Дополнительная информация не опасен
Ширина 30 мм
Высота 5 мм
Длина 130 мм
Вес товара в г. 50
Вес в кг. 0,05
Гарантия 12 месяцев
Страна-производитель Китай
ВНИМАНИЕ !!! Пожалуйста, сверяйте информацию о данном товаре с информацией на официальном сайте производителя. Внешний вид изделия, его комплектация и характеристики могут изменяться производителем без предварительного уведомления. Стоимость товара указанная на сайте

Samsung 2GB 800MHz CL6 (M470T5663EH3-CF7) отзывы

Оставьте отзыв об этом товаре первым!