| Объем памяти | 4 ГБ по 4 ГБ) |
| Тип | DDR3 SODIMM 204-pin |
| Тактовая частота | 1333 МГц |
| Тайминги | 9 |
| Напряжение питания | 1.5 В |
| Пропускная способность | PC10600 |
| Тип товара | Модуль памяти |
| Производитель | Samsung |
| Модель | M471B5273CM0-CH9 |
| Тип поставки | OEM |
| Тип | DDR3 |
| Тип памяти | DDR3 |
| Форм-фактор | SODIMM |
| Количество модулей в комплекте | 1 |
| Объем | 1 модуль 4 Гб |
| Объем одного модуля | 4 |
| Объем памяти | 4 |
| Тактовая частота | 1333 |
| Пропускная способность | 10600 |
| Количество рангов | 2 |
| CL | 9 |
| Количество чипов каждого модуля | 8 |
| Напряжение питания | 1.5 |
| Количество контактов | 204 |
| Упаковка чипов | двусторонняя |
| Ширина | 30 мм |
| Высота | 5 мм |
| Длина | 70 мм |
| Вес товара в г. | 50 |
| Вес в кг. | 0.05 |
| Гарантия | 12 месяцев |
| Страна-производитель | Китай |
| ВНИМАНИЕ !!! | Пожалуйста, сверяйте информацию о данном товаре с информацией на официальном сайте производителя и уточняйте спецификацию, наличие на складе и цену товара у менеджеров нашей компании. Внешний вид изделия, его комплектация и характеристики могут изменяться |
Samsung 4 ГБ DDR3 1333 МГц CL9 (M471B5273CM0-CH9) отзывы
Оставьте отзыв об этом товаре первым!
