Samsung 4GB 1600MHz CL11

Артикул: 8267
1 898

объем памяти: 4 ГБ тип: DDR3 SODIMM 204-pin тактовая частота: 1600 МГц тайминги: 11-11-11 напряжение питания: 1.5 В пропускная способность: PC12800

8267
м.Царицыно: Осталась 1 штука
  • объем памяти: 4 ГБ
  • тип: DDR3 SODIMM 204-pin
  • тактовая частота: 1600 МГц
  • тайминги: 11-11-11
  • напряжение питания: 1.5 В
  • пропускная способность: PC12800

Тип товара Модуль памяти
Производитель Samsung
Модель 4GB 1600MHz CL11
Тип памяти DDR3
Форм-фактор SODIMM 204-контактный
Объем 1 модуль 4 Гб
Тактовая частота 1600 МГц
Пропускная способность 23400 МБ/с
Поддержка ECC нет
Поддержка XMP нет
Буферизованная (Registered) нет
Низкопрофильная (Low Profile) нет
RAS to CAS Delay (tRCD) 21
Row Precharge Delay (tRP) 11
CAS Latency (CL) 11
Количество чипов каждого модуля 8, двусторонняя упаковка
Напряжение питания 1.5 В
Количество ранков 1
Вес 0.05 кг
Гарантия 12 месяцев
Страна-производитель Китай
ВНИМАНИЕ !!! Пожалуйста, сверяйте информацию о данном товаре с информацией на официальном сайте производителя. Внешний вид изделия, его комплектация и характеристики могут изменяться производителем без предварительного уведомления. Стоимость товара указанная на сайте

Samsung 4GB 1600MHz CL11 отзывы

Оставьте отзыв об этом товаре первым!