Samsung 4GB 1600MHz CL11 (M471B5173EB0-YK0)

Артикул: 8417
1 199

объем памяти: 4 ГБ тип: DDR3L SODIMM 204-pin тактовая частота: 1600 МГц тайминги: 11-11-11-35 напряжение питания: 1.35 В пропускная способность: PC12800

8417
м.Царицыно: В наличии
  • объем памяти: 4 ГБ
  • тип: DDR3L SODIMM 204-pin
  • тактовая частота: 1600 МГц
  • тайминги: 11-11-11-35
  • напряжение питания: 1.35 В
  • пропускная способность: PC12800

Тип товара Оперативная память
Производитель Samsung
Модель M471B5173EB0-YK0
Тип памяти DDR3L
Форм-фактор SODIMM 204-контактный
Объем 1 модуль 4 Гб
Тактовая частота 1600 МГц
Пропускная способность 12800 Мб/с
Поддержка ECC нет
Поддержка XMP нет
Буферизованная (Registered) нет
Низкопрофильная (Low Profile) нет
RAS to CAS Delay (tRCD) 11
Row Precharge Delay (tRP) 11
CAS Latency (CL) 4
Activate to Precharge Delay (tRAS) 35
Количество чипов каждого модуля 8, двусторонняя упаковка
Напряжение питания 1.35 В
Количество ранков 1
Вес 0.05 кг
Гарантия 12 месяцев
Страна-производитель Китай
ВНИМАНИЕ !!! Пожалуйста, сверяйте информацию о данном товаре с информацией на официальном сайте производителя. Внешний вид изделия, его комплектация и характеристики могут изменяться производителем без предварительного уведомления. Стоимость товара указанная на сайте

Samsung 4GB 1600MHz CL11 (M471B5173EB0-YK0) отзывы

Оставьте отзыв об этом товаре первым!