Samsung 4GB 1333MHz CL9 (M378B5273DH0-CH9)

Артикул: 8250
1 919

объем памяти: 4 ГБ тип: DDR3 DIMM 240-pin тактовая частота: 1333 МГц тайминги: 9-9-9 напряжение питания: 1.5 В пропускная способность: PC10600

8250
Нет в наличии
  • объем памяти: 4 ГБ
  • тип: DDR3 DIMM 240-pin
  • тактовая частота: 1333 МГц
  • тайминги: 9-9-9
  • напряжение питания: 1.5 В
  • пропускная способность: PC10600

Тип товара Модуль памяти
Производитель Samsung
Модель 4GB 1333MHz CL9 (M378B5273DH0-CH9)
Тип поставки OEM
Тип памяти DDR3
Форм-фактор DIMM 240-контактный
Количество модулей в комплекте 1
Объем 1 модуль 4 Гб
Объем одного модуля 4
Объем памяти 4
tRCD 9
tRP 9
Тактовая частота 1333
tRAS 9
Пропускная способность 10600
Поддержка ECC нет
Поддержка XMP нет
Буферизованная (Registered) нет
Низкопрофильная (Low Profile) нет
RAS to CAS Delay (tRCD) 9
Row Precharge Delay (tRP) 9
CAS Latency (CL) 9
CL 9
Количество чипов каждого модуля 18, двусторонняя упаковка
Напряжение питания 1.5
Количество ранков 2
Ширина 30 мм
Высота 5 мм
Длина 130 мм
Вес в кг. 0,05
Вес товара в г. 50
Гарантия 12 месяцев
Страна-производитель Китай
ВНИМАНИЕ !!! Пожалуйста, сверяйте информацию о данном товаре с информацией на официальном сайте производителя. Внешний вид изделия, его комплектация и характеристики могут изменяться производителем без предварительного уведомления. Стоимость товара указанная на сайте

Samsung 4GB 1333MHz CL9 (M378B5273DH0-CH9) отзывы

Оставьте отзыв об этом товаре первым!