Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR3 1600 МГц DIMM CL11 M378B1G73EB0-YK0, OEM

Артикул: 9864
2 990

количество модулей в комплекте 1 шт. объем одного модуля 8 ГБ тип DDR3 DIMM 240-pin тактовая частота 1600 МГц тайминги 11-11-11 напряжение питания 1.35 В пропускная способность PC12800

9864
Нет в наличии
количество модулей в комплекте 1 шт.
объем одного модуля 8 ГБ
тип DDR3 DIMM 240-pin
тактовая частота 1600 МГц
тайминги 11-11-11
напряжение питания 1.35 В
пропускная способность PC12800

Тип товара Оперативная память
Производитель Samsung
Модель M378B1G73EB0-YK0
Тип поставки OEM
Тип DDR3
Тип памяти DDR3
Форм-фактор DIMM
Количество модулей в комплекте 1
Объем 8
Объем одного модуля 8
Объем памяти 8
Тактовая частота 1600
Пропускная способность 12800
tRCD 11
tRP 11
tRAS 30
Количество рангов 2
CL 11
CAS Latency (CL) 11
RAS to CAS Delay (tRCD) 11
Row Precharge Delay (tRP) 11
Activate to Precharge Delay (tRAS) 30
Количество чипов каждого модуля 8
Напряжение питания 1.35
Количество ранков 2
Количество контактов 240
Упаковка чипов односторонняя
Ширина 30 мм
Высота 5 мм
Длина 130 мм
Вес товара в г. 50
Вес в кг. 0,05
Гарантия 12 месяцев
Страна-производитель Китай
ВНИМАНИЕ !!! Пожалуйста, сверяйте информацию о данном товаре с информацией на официальном сайте производителя и уточняйте спецификацию, наличие на складе и цену товара у менеджеров нашей компании. Внешний вид изделия, его комплектация и характеристики могут изменяться

Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR3 1600 МГц DIMM CL11 M378B1G73EB0-YK0, OEM отзывы

Оставьте отзыв об этом товаре первым!