Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR3 1600 МГц SODIMM CL11, M471B5273EB0-CK0, OEM

Артикул: 9868
990

количество модулей в комплекте 1 шт. объем одного модуля 4 ГБ тип DDR3 SODIMM 204-pin тактовая частота 1600 МГц тайминги 11-11-11 напряжение питания 1.5 В пропускная способность PC12800 особенности Unregistered

9868
Нет в наличии

количество модулей в комплекте 1 шт.
объем одного модуля 4 ГБ
тип DDR3 SODIMM 204-pin
тактовая частота 1600 МГц
тайминги 11-11-11
напряжение питания 1.5 В
пропускная способность PC12800
особенности Unregistered
Состояние товара preowned
Внешний вид excellent
Причина уценки Отсутствует заводская упаковка, модуль полностью исправен
Тип товара Оперативная память
Производитель Samsung
Модель M471B5273EB0-CK0
Тип поставки OEM
Тип DDR3
Тип памяти DDR3
Форм-фактор SODIMM
Количество модулей в комплекте 1
Объем 4
Объем одного модуля 4
Объем памяти 4
Тактовая частота 1600
Пропускная способность 12800
tRCD 11
tRP 11
Количество рангов 2
CL 11
CAS Latency (CL) 11
RAS to CAS Delay (tRCD) 11
Row Precharge Delay (tRP) 11
Количество чипов каждого модуля 16
Напряжение питания 1.5
Количество ранков 2
Количество контактов 204
Упаковка чипов двусторонняя
Ширина 30 мм
Высота 5 мм
Длина 70 мм
Вес товара в г. 50
Вес в кг. 0,05
Гарантия 12 месяцев
Страна-производитель Китай
ВНИМАНИЕ !!! Пожалуйста, сверяйте информацию о данном товаре с информацией на официальном сайте производителя и уточняйте спецификацию, наличие на складе и цену товара у менеджеров нашей компании. Внешний вид изделия, его комплектация и характеристики могут изменяться

Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR3 1600 МГц SODIMM CL11, M471B5273EB0-CK0, OEM отзывы

Оставьте отзыв об этом товаре первым!