Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR3 1600 МГц DIMM CL11 M378B5273EB0-CK0

Артикул: 9744
910

количество модулей в комплекте 1 шт. объем одного модуля 4 ГБ тип DDR3 DIMM 240-pin тактовая частота 1600 МГц тайминги 11 напряжение питания 1.5 В пропускная способность PC12800

9744
м.Царицыно: Осталась 1 штука
количество модулей в комплекте 1 шт.
объем одного модуля 4 ГБ
тип DDR3 DIMM 240-pin
тактовая частота 1600 МГц
тайминги 11
напряжение питания 1.5 В
пропускная способность PC12800

Состояние товара preowned
Внешний вид excellent
Причина уценки Отсутствует заводская упаковка, модуль полностью исправен
Тип товара Оперативная память
Производитель Samsung
Модель M378B5273EB0-CK0
Тип поставки OEM
Тип DDR3
Тип памяти DDR3
Форм-фактор DIMM
Количество модулей в комплекте 1
Объем 4
Объем одного модуля 4
Объем памяти 4
Тактовая частота 1600
Пропускная способность 12800
tRCD 11
tRP 11
CL 11
CAS Latency (CL) 11
RAS to CAS Delay (tRCD) 11
Row Precharge Delay (tRP) 11
Напряжение питания 1.5
Количество контактов 240
Ширина 30 мм
Высота 5 мм
Длина 130 мм
Вес товара в г. 50
Вес в кг. 0,05
Гарантия 12 месяцев
Страна-производитель Китай
ВНИМАНИЕ !!! Пожалуйста, сверяйте информацию о данном товаре с информацией на официальном сайте производителя и уточняйте спецификацию, наличие на складе и цену товара у менеджеров нашей компании. Внешний вид изделия, его комплектация и характеристики могут изменяться

Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR3 1600 МГц DIMM CL11 M378B5273EB0-CK0 отзывы

Оставьте отзыв об этом товаре первым!