Оперативная память Hynix 4GB DDR4 2133MHz CL15 (HMA451U6MFR8N-TF)

Артикул: 8650
1 100

объем памяти: 4 ГБ тип: DDR4 DIMM 288-pin тактовая частота: 2133 МГц тайминги: 15-15-15 напряжение питания: 1.2 В пропускная способность: PC17000

8650
Нет в наличии
  • объем памяти: 4 ГБ
  • тип: DDR4 DIMM 288-pin
  • тактовая частота: 2133 МГц
  • тайминги: 15-15-15
  • напряжение питания: 1.2 В
  • пропускная способность: PC17000

Тип товара Оперативная память
Производитель Hynix
Модель HMA451U6MFR8N-TF
Тип поставки OEM
Тип DDR4
Тип памяти DDR4
Форм-фактор DIMM
Количество модулей в комплекте 1
Объем 4
Объем одного модуля 4
Объем памяти 4
Тактовая частота 2133
Пропускная способность 17000
tRCD 15
tRP 15
tRAS 30
Поддержка ECC нет
Поддержка XMP нет
Буферизованная (Registered) нет
Низкопрофильная (Low Profile) нет
CL 15
CAS Latency (CL) 15
RAS to CAS Delay (tRCD) 15
Row Precharge Delay (tRP) 15
Activate to Precharge Delay (tRAS) 30
Количество чипов каждого модуля 8, односторонняя упаковка
Напряжение питания 1.2
Количество ранков 1
Дополнительная информация не опасен
Ширина 30 мм
Высота 5 мм
Длина 130 мм
Вес товара в г. 50
Вес в кг. 0,05
Гарантия 12 месяцев
Страна-производитель Китай
ВНИМАНИЕ !!! Пожалуйста, сверяйте информацию о данном товаре с информацией на официальном сайте производителя. Внешний вид изделия, его комплектация и характеристики могут изменяться производителем без предварительного уведомления. Стоимость товара указанная на сайте

Оперативная память Hynix 4GB DDR4 2133MHz CL15 (HMA451U6MFR8N-TF) отзывы

Оставьте отзыв об этом товаре первым!