- 1 модуль памяти DDR3
- объем модуля 4 Гб
- форм-фактор DIMM, 240-контактный
- частота 1600 МГц
- CAS Latency (CL): 11
| Дополнительно | 1962, dopolnitel_no, divider, 0, 0 |
| Тип товара | Модуль памяти |
| Производитель | Kingston |
| Модель | KVR16N11/4 |
| Тип памяти | DDR3 |
| Форм-фактор | DIMM 240-контактный |
| Объем | 1 модуль 4 Гб |
| Тактовая частота | 1600 МГц |
| Пропускная способность | 12800 Мб/с |
| Поддержка ECC | нет |
| Буферизованная (Registered) | нет |
| Низкопрофильная (Low Profile) | нет |
| RAS to CAS Delay (tRCD) | 11 |
| Row Precharge Delay (tRP) | 11 |
| CAS Latency (CL) | 11 |
| Количество чипов каждого модуля | 16, двусторонняя упаковка |
| Напряжение питания | 1.5 В |
| Количество ранков | 2 |
| Вес | 0.01 кг |
| Гарантия | 12 месяцев |
| Страна-производитель | Китай |
| ВНИМАНИЕ !!! | Пожалуйста, сверяйте информацию о данном товаре с информацией на официальном сайте производителя. Внешний вид изделия, его комплектация и характеристики могут изменяться производителем без предварительного уведомления. Стоимость товара указанная на сайте |
Kingston KVR16N11/4 отзывы
Оставьте отзыв об этом товаре первым!
