Объем памяти
8 ГБ по 8 ГБ)Тип
DDR4 SODIMM 260-pinТактовая частота
2666 МГцТайминги
19-19-19Напряжение питания
1.2 ВПропускная способность
PC21300
| Тип товара | Модуль памяти |
| Производитель | Hynix |
| Модель | HMA81GS6JJR8N-VK |
| Тип поставки | OEM |
| Тип | DDR4 |
| Тип памяти | DDR4 |
| Форм-фактор | SODIMM |
| Количество модулей в комплекте | 1 |
| Объем | 8 |
| Объем одного модуля | 8 |
| Объем памяти | 8 |
| Тактовая частота | 2666 |
| tRCD | 19 |
| Количество рангов | 1 |
| CL | 19 |
| Row Precharge Delay (tRP) | 19 |
| Количество чипов каждого модуля | 8 |
| Напряжение питания | 1.2 |
| Количество контактов | 260 |
| Упаковка чипов | двусторонняя |
| Ширина | 30 мм |
| Высота | 5 мм |
| Длина | 70 мм |
| Вес товара в г. | 50 |
| Вес в кг. | 0.05 |
| Гарантия | 12 месяцев |
| Страна-производитель | Китай |
| ВНИМАНИЕ !!! | Пожалуйста, сверяйте информацию о данном товаре с информацией на официальном сайте производителя и уточняйте спецификацию, наличие на складе и цену товара у менеджеров нашей компании. Внешний вид изделия, его комплектация и характеристики могут изменяться |
Hynix 8 ГБ DDR4 2666 МГц CL19 (HMA81GS6JJR8N-VK) отзывы
Оставьте отзыв об этом товаре первым!
