Samsung 8 ГБ DDR4 2666 МГц CL19 (M471A1K43DB1-CTD)

Артикул: 9165
2 900

Объем памяти 8 ГБ по 8 ГБ) Тип DDR4 SODIMM 260-pin Тактовая частота 2666 МГц Тайминги 19-19-19 Напряжение питания 1.2 В Пропускная способность PC21300

9165
Нет в наличии

Объем памяти 8 ГБ по 8 ГБ)
Тип DDR4 SODIMM 260-pin
Тактовая частота 2666 МГц
Тайминги 19-19-19
Напряжение питания 1.2 В
Пропускная способность PC21300
Тип товара Модуль памяти
Производитель Hynix
Модель M471A1K43DB1-CTD
Тип поставки OEM
Тип DDR4
Тип памяти DDR4
Форм-фактор SODIMM
Количество модулей в комплекте 1
Объем 1 модуль 8 Гб
Объем одного модуля 8
Объем памяти 8
tRCD 19
tRP 19
Тактовая частота 2666
Количество рангов 1
Пропускная способность 21300
Количество контактов 260
Упаковка чипов двусторонняя
CL 19
Количество чипов каждого модуля 8
Напряжение питания 1.2
Ширина 30 мм
Высота 5 мм
Длина 70 мм
Вес в кг. 0.05
Вес товара в г. 50
Гарантия 12 месяцев
Страна-производитель Китай
ВНИМАНИЕ !!! Пожалуйста, сверяйте информацию о данном товаре с информацией на официальном сайте производителя и уточняйте спецификацию, наличие на складе и цену товара у менеджеров нашей компании. Внешний вид изделия, его комплектация и характеристики могут изменяться

Samsung 8 ГБ DDR4 2666 МГц CL19 (M471A1K43DB1-CTD) отзывы

Оставьте отзыв об этом товаре первым!