Samsung 4 ГБ DDR3 1333 МГц CL9 (M471B5273CM0-CH9)

Артикул: 9146
1 990

Объем памяти 4 ГБ по 4 ГБ) Тип DDR3 SODIMM 204-pin Тактовая частота 1333 МГц Тайминги 9 Напряжение питания 1.5 В Пропускная способность PC10600

9146
Нет в наличии

Объем памяти 4 ГБ по 4 ГБ)
Тип DDR3 SODIMM 204-pin
Тактовая частота 1333 МГц
Тайминги 9
Напряжение питания 1.5 В
Пропускная способность PC10600
Тип товара Модуль памяти
Производитель Samsung
Модель M471B5273CM0-CH9
Тип поставки OEM
Тип DDR3
Тип памяти DDR3
Форм-фактор SODIMM
Количество модулей в комплекте 1
Объем 1 модуль 4 Гб
Объем одного модуля 4
Объем памяти 4
Тактовая частота 1333
Пропускная способность 10600
Количество рангов 2
CL 9
Количество чипов каждого модуля 8
Напряжение питания 1.5
Количество контактов 204
Упаковка чипов двусторонняя
Ширина 30 мм
Высота 5 мм
Длина 70 мм
Вес товара в г. 50
Вес в кг. 0.05
Гарантия 12 месяцев
Страна-производитель Китай
ВНИМАНИЕ !!! Пожалуйста, сверяйте информацию о данном товаре с информацией на официальном сайте производителя и уточняйте спецификацию, наличие на складе и цену товара у менеджеров нашей компании. Внешний вид изделия, его комплектация и характеристики могут изменяться

Samsung 4 ГБ DDR3 1333 МГц CL9 (M471B5273CM0-CH9) отзывы

Оставьте отзыв об этом товаре первым!