Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR3 1600 МГц CL11 (M378B1G73EB0-CK0)

Артикул: 9399
2 750

количество модулей в комплекте 1 шт. объем одного модуля 8 ГБ тип DDR3 DIMM 240-pin тактовая частота 1600 МГц тайминги 11-11-11 напряжение питания 1.5 В пропускная способность PC12800

9399
Нет в наличии

количество модулей в комплекте 1 шт.
объем одного модуля 8 ГБ
тип DDR3 DIMM 240-pin
тактовая частота 1600 МГц
тайминги 11-11-11
напряжение питания 1.5 В
пропускная способность PC12800
Тип товара Оперативная память
Производитель Samsung
Модель M378B1G73EB0-CK0
Тип поставки OEM
Тип DDR3
Тип памяти DDR3
Форм-фактор DIMM
Количество модулей в комплекте 1
Объем 1 модуль 8 Гб
Объем одного модуля 8
Объем памяти 8
Тактовая частота 1600
Пропускная способность 12800
tRCD 11
tRP 11
Количество рангов 2
CL 11
CAS Latency (CL) 11
RAS to CAS Delay (tRCD) 11
Row Precharge Delay (tRP) 11
Напряжение питания 1.5
Ширина 30 мм
Высота 5 мм
Длина 130 мм
Вес товара в г. 50
Вес в кг. 0,05
Гарантия 12 месяцев
Страна-производитель Китай
ВНИМАНИЕ !!! Пожалуйста, сверяйте информацию о данном товаре с информацией на официальном сайте производителя. Внешний вид изделия, его комплектация и характеристики могут изменяться производителем без предварительного уведомления. Стоимость товара указанная на сайте

Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR3 1600 МГц CL11 (M378B1G73EB0-CK0) отзывы

Оставьте отзыв об этом товаре первым!