Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR4 2133 МГц SODIMM CL15 M471A5143EB0-CPB

Артикул: 9869
1 790

количество модулей в комплекте 1 шт. объем одного модуля 4 ГБ тип DDR4 SODIMM 260-pin тактовая частота 2133 МГц тайминги 15-15-15-36 напряжение питания 1.2 В пропускная способность PC17000 особенности Unregistered

9869
Нет в наличии

количество модулей в комплекте 1 шт.
объем одного модуля 4 ГБ
тип DDR4 SODIMM 260-pin
тактовая частота 2133 МГц
тайминги 15-15-15-36
напряжение питания 1.2 В
пропускная способность PC17000
особенности Unregistered
Тип товара Оперативная память
Производитель Samsung
Модель M471A5143EB0-CPB
Тип поставки OEM
Тип DDR4
Тип памяти DDR4
Форм-фактор SODIMM
Количество модулей в комплекте 1
Объем 4
Объем одного модуля 4
Объем памяти 4
Тактовая частота 2133
Пропускная способность 17000
tRCD 15
tRP 15
tRAS 36
Количество рангов 1
CL 15
CAS Latency (CL) 15
RAS to CAS Delay (tRCD) 15
Row Precharge Delay (tRP) 15
Activate to Precharge Delay (tRAS) 36
Количество чипов каждого модуля 8
Напряжение питания 1.2
Количество ранков 1
Количество контактов 260
Упаковка чипов двусторонняя
Ширина 30 мм
Высота 5 мм
Длина 70 мм
Вес товара в г. 50
Вес в кг. 0,05
Гарантия 12 месяцев
Страна-производитель Китай
ВНИМАНИЕ !!! Пожалуйста, сверяйте информацию о данном товаре с информацией на официальном сайте производителя и уточняйте спецификацию, наличие на складе и цену товара у менеджеров нашей компании. Внешний вид изделия, его комплектация и характеристики могут изменяться

Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR4 2133 МГц SODIMM CL15 M471A5143EB0-CPB отзывы

Оставьте отзыв об этом товаре первым!