- 1 модуль памяти DDR3
- объем модуля 2 ГБ
- форм-фактор DIMM, 240-контактный
- частота 1333 МГц
- CAS Latency (CL): 9
Тип товара | Модуль памяти |
Производитель | Kingston |
Модель | KVR1333D3N9/2G |
Тип памяти | DDR3 |
Форм-фактор | DIMM 240-контактный |
Тактовая частота | 1333 МГц |
Пропускная способность | 10600 Мб/с |
Объем | 1 модуль 2 Гб |
Поддержка ECC | нет |
Буферизованная (Registered) | нет |
Низкопрофильная (Low Profile) | нет |
CAS Latency (CL) | 9 |
RAS to CAS Delay (tRCD) | 9 |
Row Precharge Delay (tRP) | 9 |
Количество чипов каждого модуля | 16, двусторонняя упаковка |
Напряжение питания | 1.5 В |
Вес | 0.020 кг |
Гарантия | 12 месяцев |
Страна-производитель | Китай |
ВНИМАНИЕ !!! | Пожалуйста, сверяйте информацию о данном товаре с информацией на официальном сайте производителя и уточняйте спецификацию, наличие на складе и цену товара у менеджеров нашей компании. Внешний вид изделия, его комплектация и характеристики могут изменяться |
Kingston KVR1333D3N9/2G отзывы
Оставьте отзыв об этом товаре первым!