- объем памяти: 4 ГБ
- тип: DDR4 SODIMM 260-pin
- тактовая частота: 2666 МГц
- тайминги: 19-19-19
- напряжение питания: 1.2 В
- пропускная способность: PC21300
| Тип товара | Оперативная память |
| Производитель | Hynix |
| Модель | HMA851S6CJR6N-VK |
| Тип поставки | OEM |
| Тип | DDR4 |
| Тип памяти | DDR4 |
| Форм-фактор | SODIMM 260-контактный |
| Количество модулей в комплекте | 1 |
| Объем одного модуля | 4 |
| Объем памяти | 4 |
| Тактовая частота | 2666 |
| Поддержка ECC | нет |
| Поддержка XMP | нет |
| Буферизованная (Registered) | нет |
| Низкопрофильная (Low Profile) | нет |
| CAS Latency (CL) | 19 |
| RAS to CAS Delay (tRCD) | 19 |
| Row Precharge Delay (tRP) | 19 |
| Количество чипов каждого модуля | 18, двусторонняя упаковка |
| Напряжение питания | 1.2 |
| Количество ранков | 1 |
| Дополнительная информация | не опасен |
| Ширина | 30 мм |
| Высота | 5 мм |
| Длина | 130 мм |
| Вес товара в г. | 50 |
| Вес в кг. | 0,05 |
| Гарантия | 12 месяцев |
| Страна-производитель | Китай |
| ВНИМАНИЕ !!! | Пожалуйста, сверяйте информацию о данном товаре с информацией на официальном сайте производителя. Внешний вид изделия, его комплектация и характеристики могут изменяться производителем без предварительного уведомления. Стоимость товара указанная на сайте |
Hynix 4GB DDR4 2666MHz SODIMM 260-pin CL19 HMA851S6CJR6N-VK отзывы
Оставьте отзыв об этом товаре первым!
